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English to Korean: Patent Specification translation - Semiconductor General field: Law/Patents Detailed field: Electronics / Elect Eng
Source text - English [0014] The various aspects of the present disclosure are discussed in more detail below with reference to Figs. 1-14 and 15A-15B. As a non-limiting example to illustrate the various aspects of the present disclosure, a fin-like field-effect transistor (FinFET) device is discussed with reference to Figs. 1-14 and 15A-15B. However, it is understood that the various aspects of the present disclosure are not limited to any particular type of device, unless specifically claimed otherwise.
[0015] The use of FinFET devices has been gaining popularity in the semiconductor industry. Referring to Fig. 1, a perspective view of an example FinFET device 50 is illustrated. The FinFET device 50 is a non-planar multi-gate transistor that is built over a substrate (such as a bulk substrate). A thin silicon-containing “fin-like” structure (hereinafter referred to as a “fin”) forms the body of the FinFET device 50. The fin extends along an X-direction shown in Fig. 1. The fin has a fin width Wfin measured along a Y-direction that is orthogonal to the X-direction. A gate 60 of the FinFET device 50 wraps around this fin, for example around the top surface and the opposing sidewall surfaces of the fin. Thus, a portion of the gate 60 is located over the fin in a Z-direction that is orthogonal to both the X-direction and the Y-direction.
[0016] LG denotes a length (or width, depending on the perspective) of the gate 60 measured in the X-direction. The gate 60 may include a gate electrode component 60A and a gate dielectric component 60B. The gate dielectric 60B has a thickness tox measured in the Y-direction. A portion of the gate 60 is located over a dielectric isolation structure such as shallow trench isolation (STI). A source 70 and a drain 80 of the FinFET device 50 are formed in extensions of the fin on opposite sides of the gate 60. A portion of the fin being wrapped around by the gate 60 serves as a channel of the FinFET device 50. The effective channel length of the FinFET device 50 is determined by the dimensions of the fin.
Translation - Korean [0014] 본 개시의 다양한 양태들은 도 1-14 및 도 15a-15b를 참조하여 아래에서 보다 상세하게 논의된다. 본 개시의 다양한 양태들을 도시하기 위한 비제한적인 예시로서, 도 1-14 및 도 15a-15b와 관련하여 FinFET(fin-like field-effect transistor) 디바이스가 논의된다. 그러나, 구체적으로 달리 청구되지 않는 한, 본 개시의 다양한 양태들은 임의의 특정한 형태의 디바이스로 제한되지 않는다는 것이 이해된다.
[0015] FinFET 디바이스의 사용은 반도체 산업에서 인기를 얻고 있다. 도 1을 참조하면, 예시적인 FinFET 디바이스(50)의 사시도가 도시된다. FinFET 디바이스(50)는 (벌크 기판과 같은) 기판 위에 제조된 비평면 멀티-게이트 트랜지스터이다. 박형 실리콘 함유 “핀형(fin-like)” 구조물(이하, “핀”이라 칭함)은 FinFET 디바이스(50)의 몸체(body)를 형성한다. 핀은 도 1에 도시된 X 방향을 따라 연장한다. 핀은 X 방향에 직교하는 Y 방향을 따라 측정된 핀 폭 Wfin을 갖는다. FinFET 디바이스(50)의 게이트(60)는 이 핀의 주위, 예를 들어, 핀의 상부면 및 대향하는 측벽 표면들 주위를 둘러싼다. 따라서, 게이트(60)의 부분은 X 방향 및 Y 방향 둘 다에 직교하는 Z 방향에서 핀 위에 위치된다.
[0016] LG는 X 방향에서 측정된 게이트(60)의 길이(또는, 시점에 따라 폭)을 나타낸다. 게이트(60)는 게이트 전극 컴포넌트(60A)와 게이트 유전체 컴포넌트(60B)를 포함할 수 있다. 게이트 유전체(60B)는 Y 방향에서 측정된 두께 tox를 갖는다. 게이트(60)의 부분은 얕은 트렌치 격리(STI)와 같은 유전체 격리 구조물 위에 위치된다. FinFET 디바이스(50)의 소스(70) 및 드레인(80)은 게이트(60)의 대향 측들에서 핀의 연장부들에 형성된다. 게이트(60)에 의해 둘러싸인 핀의 부분은 FinFET 디바이스(50)의 채널로 기능한다. FinFET 디바이스(50)의 유효 채널 길이는 핀의 치수에 의해 결정된다.
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Years of experience: 9. Registered at ProZ.com: Mar 2018.
NEWCASTLE
UNIVERSITY, Newcastle upon Tyne, UK MSc Mechanical
Engineering
Translate (En to Kr): Patent specification
I am interested in applying for the above job as I
believe my substantial experience in translator combined with my knowledge of
the law/patent specification experience will be of particular benefit to your organization.
Thank you
Keywords: English to Korean, patent, semiconductor patent, semiconductor, electronics, mechanics
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